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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NTLJD4116NT1G 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN T/R

内部编号

277-NTLJD4116NT1G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:5330
3000+¥1.424
最小起订量:3000
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:300925
1+¥2.3885
25+¥2.2344
100+¥2.0804
500+¥2.0033
1000+¥1.9262
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:5330
10+¥3.212
20+¥2.926
50+¥2.717
100+¥2.538
200+¥2.411
最小起订量:10
英国伦敦
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NTLJD4116NT1G产品详细规格

规格书 NTLJD4116NT1G datasheet 规格书
NTLJD4116NT1G datasheet 规格书
NTLJD4116NT1G datasheet 规格书
NTLJD4116N
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 2 N-Channel (Dual)
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 70 mOhm @ 2A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 6.5nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 427pF @ 15V
功率 - 最大 710mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装 6-WDFN (2x2)
包装材料 Tape & Reel (TR)

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